紫外线金属检测

本专题涉及紫外线 金属的标准有39条。

国际标准分类中，紫外线 金属涉及到电灯及有关装置、涂料和清漆、表面处理和镀涂、航空航天用电气设备和系统、集成电路、微电子学、光学和光学测量、粘合剂和胶粘产品。

在中国标准分类中，紫外线 金属涉及到电光源产品、材料防护、激光器件、计算机应用、光学计量仪器、半导体集成电路、机场地面服务系统及设备、胶粘剂基础标准与通用方法。

国家质检总局，关于紫外线 金属的标准

GB/T 23112-2008 紫外线金属卤化物灯

美国材料与试验协会，关于紫外线 金属的标准

ASTM D5894-21 涂漆金属的周期性盐雾/紫外线暴露的标准实施规程（雾/干燥柜和紫外线/冷凝柜中的交替暴露）

ASTM D5894-16 涂覆金属循环烟雾/紫外线曝光的标准实施规程 (在雾/干柜和紫外线/凝结柜中交替曝光)

ASTM D5894-10 彩色金属循环盐雾/紫外线暴露的标准操作（雾/干柜和UV /冷凝柜中的交替曝光）

ASTM D5894-05 镀膜金属暴露于循环盐雾/紫外线的标准实施规程(交替暴露在雾/干室和紫外线/冷凝室中)

ASTM D3658-01 用于确定紫外线（UV）光固化玻璃/金属粘合剂接头的扭矩强度的标准测试方法

ASTM D3658-01(2016) 测定紫外线 (UV) 光固化玻璃/金属粘接接头扭矩强度的标准试验方法

ASTM D3658-01(2008) 测定经紫外线处理的玻璃和金属粘结接缝扭矩强度的标准试验方法

ASTM D5894-96 镀膜金属暴露于环流盐雾/紫外线的标准实施规范(交替暴露在雾/干室和紫外线/冷凝室)

ASTM D3658-90(1995) 测定经紫外线处理的玻璃和金属粘结接缝扭矩强度的标准试验方法

英国标准学会，关于紫外线 金属的标准

BS EN 13523-10-2017 卷材覆层金属.试验方法.耐荧光紫外线和水冷凝

BS EN 13523-10-2010 卷材覆层金属.试验方法.耐荧光紫外线和水冷凝

美国机动车工程师协会，关于紫外线 金属的标准

SAE AIR 5468B-2012 航空航天金属线标记用紫外线激光器

SAE AIR 5468A-2006 航空航天金属线标记用紫外线激光器

法国标准化协会，关于紫外线 金属的标准

NF T37-001-10-2010 带卷涂覆金属.试验方法.第10部分:抗紫外线荧光和水凝结

美国国防后勤局，关于紫外线 金属的标准

DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路

DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 硅单片可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体紫外线擦除数字存储微电路

DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 硅单片8K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 硅单块 64K X8紫外线消除式可程序化只读存储器,,互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 硅单块 2K X8注册的紫外线消除式可程序化只读存储器,互补金属氧化物半导体,数字微型电路

DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体64X 16比特紫外线扩展可编程序只读存储器,数字主体存储器微型电路

DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体256K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体记名32K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-90930 REV A-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体8K X 8比特记名诊断紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 硅单块 互补金属氧化物半导体512K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 装有32千比特紫外线消除式可程序化只读存储器的8比特金属氧化物半导体微处理器,N沟道数字微型电路

DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 硅单片紫外线擦除可编程逻辑阵列互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-92071-1994 硅单块 互补金属氧化物半导体64K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-91624-1993 硅单块 互补金属氧化物半导体功率转换8K X 8比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 硅单片功率下降16K X 8紫外线可擦除可编程序只读存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 紫外线擦除可编程逻辑器件互补型金属氧化物半导体数字微电路

DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字存储微电路

DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 硅单片互补型金属氧化物半导体紫外线擦除可编程逻辑器件数字微电路

DLA SMD-5962-92140-1992 硅单块 互补金属氧化物半导体128K X 16比特紫外线消除式可程序化只读存储器,数字主储存器微型电路

DLA SMD-5962-89476-1992 硅单片紫外线擦写的可编程逻辑设备互补型金属氧化物半导体数字存储微电路

日本工业标准调查会，关于紫外线 金属的标准

JIS C1613-2007 金属卤化物灯型曝光仪的强光紫外线辐射计

澳大利亚标准协会，关于紫外线 金属的标准

AS 2331.3.12-2006 金属及相关涂层的试验方法．腐蚀及相关特性试验．有机涂层金属的循环盐雾/紫外线接触